本文标题："晶体的低温热固定在全息图的光折变，反射显微镜对晶体温度的研究"

晶体的低温热固定在全息图的光折变，反射显微镜对的研究

热固定的二氧化硅在光折变晶体表现出了一路下滑至室温。

就我们所知，这样的效果在任何光折变材料的第一份报告。

从过程中表现的温度有过度依赖性，定影过程中所涉及的载流子的活化能测定为电子伏特。

此外，还要注意的是有效的光折变电荷密度的测量。

硅衬底上制作宽带的抗反射的显微镜系统，

我们制作了一个二维的亚波长结构（SWS）的表面在单晶的硅衬底。

SWS的表面图案由SF 的快原子束电子束光刻和蚀刻。

SWS的光栅有一个圆锥形的档案，周期为150nm，槽深约350 nm。

波长的反射率进行了检查，在400nm处的反射率下降至0.5％，

从54.7％的硅衬底，我们还使用氦氖激光器的光，检查作为入射角的函数的反射率。

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