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本文标题:"不同类型的半导体的设计"

不同类型的半导体的设计

大多数的电子设备结合了半导体(例如二极管和晶体管)的设计,所以,在施加电压所需的产生之间的价带和导带的电子分布的变化,以允许电流流动有大的差异,不同的半导体的带隙之间的电位,虽然在所有这些材料的频带安排比较类似。

硅是最简单的半导体,没有适当的带隙结构,LED建筑本身是有用的(但在许多其他设备,包括集成电路,硅仍然使用)。

然而,硅的导通特性,可以提高通过掺杂,它引入了微量杂质以产生额外的电子或空位(孔)中的原生结晶结构。 掺杂的方法,最好的方法就是使用该元素的硅,硅具有4个价电子参与成键与相邻原子在纯净的水晶,不留赤字或多余的。如果少量混入固体硅的III族元素(具有三价),电子数量不足时,现在可用来满足所有的粘接要求。

创建在晶体中的孔和生产的净正电荷,以分类的掺杂作为p型半导体的硅。硼是通常利用掺杂纯硅实现p型特性的元素之一。与此相反,添加V族元素,如磷(具有五价电子的),纯硅产生一个n型半导体,有净的负电荷,由于额外的价电子。两种最常见的半导体元件,硅和锗,通常是不适合用在LED的连接处,以及它们的低排放水平,可见光和红外光产生的热量用于建设。

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