本文标题："垂直溢出的漏极设计了电荷收集的效率，显微镜图片的质量"

垂直溢出的漏极设计了电荷收集的效率，显微镜图片的质量

由于缺乏字段空闲区域可以扩散到电荷，整体的量子效率低，具有典型的约25％的峰值。

此外，CCD的垂直结构将变薄，背面照度的方法和设备的复杂性增加了制造成本。

横向溢水结构更有效地防止晕染比的垂直设计，用在最苛刻的应用。

由于横向漏极实施了表面上的硅芯片上，其他电路结构上面的水平，

它可以制造出比垂直的结构以较低的成本。

横向溢出的漏极体系结构的主要缺点是，所占据的面积漏极降低了比例像素的有源区。

表面antiblooming门降低了约30％的像素的光感应区域，

产生70％的有源区域规范，填充因子减少，伴随着低得多的电子井深，

结果在低光灵敏度，相比antiblooming不保护类似的传感器。

此外，光敏区之间的间隙溢出的结构占用，降低了有效的显微镜的空间分辨率。

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